夏建新，男，教授，1963年4月出生。1984年7月毕业于四川大学物理系，获理学学士学位。1987年6月从西安交通大学电子工程系毕业，获工学 硕士学位。1987年6月至1995年10月在电子科技大学微电子所工作，从事功率电子学方面的研究。1990年3月晋升讲师。1995年10月至1999年11 月在日本大阪大学留学，从事超大规模集成电路工艺方面的研究。1999年9月在大阪大学电气工程系获工学博士学位。2000年1月至今在电子科 技大学微电子所从事超大规模集成电路工艺和功率电子学方面的教学、研究工作。2000年6月晋升为教授。
研究兴趣主要在功率电子学和超大规模集成电路工艺两个方面。曾长期从事功率MOS器件方面的研究，先后参加了包括七五攻关项目、自 然科学基金重点项目在内的六个科研项目的研究工作，完成的科研课题“矩形槽栅功率MOS晶体管”和“高压器件的电阻场板、钝化膜与表面横 向变掺杂终端技术”分别获电子部科技进步三等奖。从一九九五年十月开始，从事超大规模集成电路工艺研究，重点在集成电路可靠性、超浅 结形成及其工艺模拟、离子注入缺陷和杂质原子的相互作用等方面。有多篇论文在J. Appl. Phys.、Jpn. J. Appl. Phys、The Transactions of IEICE、International Electron Devices Meeting等杂志和国际会议文集上发表。
