Mario Licciardello先生1942年生于意大利卡塔尼亚，1964年毕业于卡塔尼亚大学物理系 。Licciardello 于1965年加盟SGS-ATES公司，从那时到今天的意法半导体，他曾在公司的不同岗位上担任过各种职务。
“Mesa”晶体管的制程和器件开发测试是他在职业生涯中取得的第一项成功，后来这项技术发展成了今天广泛使用的平面制造工艺(“单平面“)。上个世纪60年代末，Licciardello 帮助公司在 Castelletto 成立了先进的研发中心，并建立了欧洲第一个用于制造集成电路的可控制环境—洁净室。
1970年，Licciardello被调到公司位于Agrate的总部，从事MOS(金属氧化物半导体)制造工艺的研发。他是公司第一个MOS集成电路开发的开拓者之一，为包括EPROM/EEPROM非易失性存储器和微控制器在内的几个产品线取得市场成功做出了贡献。
20世纪90年代初，Licciardello任职于公司战略规划部，监管公司的投资预算和长期规划，他为公司的多个重点规划和结构重组做出了巨大贡献，包括股东资本结构的成功调整。
1993年，Licciardello调到意法半导体的存储器产品部(MPG)，担任 EEPROM部门的总经理，他提出了多项重要的技术创新，如“双层多晶硅”制程和SPI(串行外设总线)。在他的领导下，该部门的收入和市场份额获得了稳定的增长，使该公司的EEPROM销售额排名上升到全球第二位。
1996年，他被任命为存储器产品部副总裁兼闪存部门的总经理。在这个极其复杂、竞争白热化的市场中，为实现在五年期内从一个处于边缘的企业发展为三大闪存供应商的宏伟目标，Licciardello重新调整了意法半导体存储器产品的战略重点。在Licciardello的领导下，意法半导体在NOR闪存市场上的销售额实现了巨大增长，从不到1000万美元增长到1.2亿美元以上，公司的市场份额也从3%攀升到16%。通过与海力士半导体公司的成功合作，ST在NAND闪存市场也取得了长足的进步。
2003年,Licciardello被任命为存储器产品部副总经理，并从2005年1月1日起，晋升为公司副总裁，主管存储器产品部。
2007年1月，Licciardello 被任命为公司副总裁兼新创建的闪存产品部（FMG）总经理。
在2007年5月英特尔和意法半导体宣布整合双方在非易失性存储器方面的研发、制造、销售及营销资产成立一家新的独立的闪存公司后，Mario Licciardello即将接任新公司的首席运营官一职。新的闪存公司被命名为Numonyx。在通过监管机关的审批，并符合特别成交条件后，新公司预计2007年下半正式成立。届时，存储器市场上将会出现一个新的重量级选手。
