汤庭鳌 复旦大学微电子学系教授、博士生导师。 1961年毕业于复旦大学物理学系。1984-1985，1989-1990赴美国科罗拉多大学电机系任访问学者，合作开展研究工作。现任复旦大学微电子学研究所所长 ，微电子学系学术委员会主任，中国电子学会学术工作委员会委员、高级会员；IEEE 高级会员，IEEE SSCS 上海支分会主席，ISIF 顾问委员会委员。《半导体技术》、《微电子技术》编委，《微型电脑应用》理事。
60年代曾从事“量子统计和多体问题”方面的教学和科研工作。授课课程有《量子力学》、《量子统计和多体问题》、《数学物理方程》等。70年代开始进入半导体工艺，半导体器件和集成电路方面的工作。参与晶体管大电流特性，EDMOS 基准电压源 ,BI-CMOS 工艺，小尺寸 MOS 器件模型等项研究工作。主持复旦大学微电子方面国家《六五》和《七五》攻关项目，获得电子工业部颁发的《七五攻关》有突出贡献人员证书。为本科生和研究生开设的课程有:《半导体器件原理》、《 固体物理学》、《集成电路物理基础》、《 VLSI 器件物理》等。90年代以来将研究工作的重点转到新兴的边缘学科和交叉学科——集成铁电学和集成铁电技术方面，开展了PZT、SBT、BST、BLT、 SBTi 等铁电薄膜制备技术、特性、铁电器件以及它们的应用研究工作。研究了集成铁电薄膜电容的形成技术以及刻蚀技术，开展了铁电不挥发存储器及不挥发逻辑电路，以及新型相变不挥发存储器 的研制工作。承担了国家自然科学基金、上海市应用物理中心基金、《八六三》高科技、国防科技预研、博士点基金等项目的研究工作。
