indium phosphide InP
分子式： InP
沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35 eV）
熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。