钽硅电阻薄膜

tantalum silicon resistance film

一种由钽和硅的金属间化合物组成的高电阻薄膜。具有耐高温(熔化温度2510℃)、耐腐蚀和高电阻的特点。硅含量在13％～75％(原子)时，电阻率为240~300μΩ·cm。TCR为(-800±40)×10-6/℃，高温稳定性为±0.1％。采用钽硅共溅射法或硅烷与钽在氩气中反应制得。用于制作高温薄膜电阻元器件。