Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的（若一个能级与一种以上的状态相对应，则称之为简并能级，属于同一能级的不同状态的数目称为该能级的简并度）。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp)3，这个能带偏离了价带顶，空穴不常出现。对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。
Ge、Si以及III—V族化合物半导体的价带顶都是简并带，在不计入自旋-轨道相互作用时，价带顶是三重简并的（附加上自旋是六重简并的），如图中的（a）。计入自旋-轨道相互作用、分成三个带，上面两个带在Γ点简并，分别对应重空穴带、轻空穴带。下面一个带是由自旋-轨道耦合分裂出来的，如图中的（b）。轻、重空穴带带顶附近的E(k)函数为
其中+号和-号分别对应轻空穴和重空穴，这个结果形式不同于极值附近的泰勒级数展开式，不是简单的出现k 的二次项，而是在根号下出现四次项。
