锂漂移探测器是一种具有较大灵敏体积的一种半导体探测器。锂漂移探测器可以用硅也可以用锗制成,前者称为锂漂移硅[Si(Li)]探测器,其灵敏区厚度可达5-6mm,可用于β、Χ射线和低能γ射线计数测量和能谱测量。后者称之为锂漂移锗[Ge(Li)]探测器,灵敏区厚20mm,灵敏体积达50cm3,较硅有更大的光面截面,对γ射线能量有极好的分辨和检测器检测器较高的探测效率,因而更适合于测量γ射线。锂漂移探测器必须在干冰温度下存放,在液氮温度下使用,以避免锂漂移出晶体。
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