屠海令，男，1946年出生，博士，教授，中国工程院院士，博士生导师，半导体材料专家，毕业于英国巴斯大学固体物理专业，现任北京有色金属研究总院名誉院长。
长期从事硅、化合物半导体及稀土半导体材料研究。研究领域包括半导体单晶生长中的传质、传热过程，硅外延生长动力学，半导体材料表面物理化学，砷化镓晶体生长新技术，三元系化合物半导体晶格动力学，稀土半导体材料结构相变，硅基半导体材料的制备技术，半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程，半导体材料检测技术等。获国家级、部级科技进步奖十余项，发表论文百余篇，出版著作五部。获有突出贡献回国留学人员表彰奖、国家高技术材料专家委员会个人表彰奖，国家攻关先进个人奖等，1993年获政府特殊津贴，1996年获国家有突出贡献中青年专家称号。
现任中国电子材料行业协会副理事长，中国有色金属学会副理事长、中国材料研究学会副理事长、中国稀土学会副理事长、SEMI中国标准化材料委员会主任等。
2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖，2007年当选中国工程院院士。2001年获"五一"劳动奖章。中共十五、十六大代表，第十一届全国人大代表、人大财经委员会委员，第十二届、十三届北京市人大代表。
