polythiofluorene
为以二苯并噻吩衍生物为骨架形成的线性共轭导电聚合物。
主要以二苯并噻吩为原料,经电化学聚合得到。
二苯并噻吩的氧化电位为1.3V,与噻吩类似。与氮取代类似物聚咔唑相比电导率要低一些。
该聚合物经五氟化二砷掺杂处理后电导率为18.5S/cm,与聚噻吩相当。
当采用五氧化二砷为氧化剂进行氧化聚合时,得到的聚合物电导率更低,仅为1.2×10-8S/cm左右。
估计在反应产物中共轭程度低是造成上述现象的主要原因。
polythiofluorene
为以二苯并噻吩衍生物为骨架形成的线性共轭导电聚合物。
主要以二苯并噻吩为原料,经电化学聚合得到。
二苯并噻吩的氧化电位为1.3V,与噻吩类似。与氮取代类似物聚咔唑相比电导率要低一些。
该聚合物经五氟化二砷掺杂处理后电导率为18.5S/cm,与聚噻吩相当。
当采用五氧化二砷为氧化剂进行氧化聚合时,得到的聚合物电导率更低,仅为1.2×10-8S/cm左右。
估计在反应产物中共轭程度低是造成上述现象的主要原因。