徐科，中科院上海光学精密机械研究所获博士。徐科博士在non-polar GaN在LiAlO2衬底上的外延生长方面做出开创性工作；对氮化物半导体材料外延生长中的极性选择动力学、极性控制进行了系统研究，提出了双层金属极性反转模型；国际上首次发现并阐明了InN外延生长对晶体极性的独特关系，获得高结晶质量InN薄膜，并率先获得InN/GaN量子阱的红外发光。项目的目标市场为氮化物基光电器件的衬底晶片，GaN衬底的实用化将全面推进第三代半导体在节能照明、高功率LED、高功率微波器件、短波长激光器等产业的发展。