专利专利申请号： 200480013799 申请日： 2004/05/19
公开日： 2006/06/21 公告日： 2008/02/13
公开号： 1791551 公告号： 100368288
授权日： 2008-2-13 授权公告日： 2008-2-13
专利类别： 发明 国别省市代码： JP[日本]
代理机构代码： 11219[对照表] 代理人： 穆德骏 樊卫民
发明名称： 碳纳米角制造装置和碳纳米角制造方法
国际分类号： C01B 31/02
发明人： 莇丈史;糟屋大介;饭岛澄男;吉武务;久保佳实;汤田坂雅子
申请人： 日本电气株式会社
申请人地址： 日本东京
制造方法通过用激光束（１０３）照射石墨杆（１０１）侧面，蒸发碳产生烟羽（１０９）。通过回收管（１５５）将蒸发的碳引入碳纳米角回收室（１１９），并且蒸发的碳回收成碳纳米角聚集体（１１７）。含有液氮（１５１）的冷却槽（１５０）设置在回收管（１５５）内。冷却槽（１５０）将烟羽（１０９）控制在低温，并且当碳蒸汽通过回收管（１５５）时，冷却槽（１５０）冷却碳蒸气。冷却的碳蒸气回收成碳纳米角聚集体（１１７），这样控制所需的形状和大小。
制造装置（主权利要求）一种碳纳米角包括：固持石墨靶的靶固持单元；用光照射所述石墨靶表面的光源；冷却因所述光照射而从所述石墨靶蒸发的碳蒸汽的冷却单元；及回收所述冷却单元冷却的所述碳蒸汽以得到碳纳米角的回收单元。
优先权项：
JP 2003-5-20 142450/2003
PCT 项
进入国家阶段日： 2005年11月21日 国际申请号： PCT/JP2004/006744
国际申请日： 2004年5月19日 国际公布日： 2004年12月2日
国际公布号： WO2004/103902 国际公布语言： 日