GaP epitaxial wafer[1]
在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。
是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。
生产方式大多为冷却法，操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等，设备容量一般为20～30片欲。
采用垂直衬底架可达200片/次。