作者：(美)斯特里特曼|译者:杨建红
ISBN：10位［7311025648］13位［9787311025649］
出版社：兰州大学
出版日期：2006-03
定价：￥40.50元
内容提要本书是关于固体电子器件的教学用书。全书共分11章。第1章至第4章是关于半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带、以及过剩载流子方面的内容。第5章至第11章是关于各种电子器件和集成电路的工作原理与制造工艺方面的内容，分别介绍了：p—n结和金属．半导体结(包括异质结)；场效应晶体管(JFET、MESFET、MOSFET)；双极结型晶体管(BJT和HBT)；光电子器件(太阳电池、光探测器、LED和激光器)；负电导微波器件(隧道二极管、IMPATI和Gunn二极管)；功率半导体器件(SCR和IGBT)等，其中第5章和第9章用了较大篇幅对现代半导体器件和集成电路的制造工艺作了介绍。
本书的内容全面，繁简适中，基本上涵盖了所有的器件大类，反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、物理效应、以及技术成果，各章后面均附有适量的习题和参考读物，适合于微电子学专业和电子科学与技术专业高年级本科生教学使用，也可供微电子学与固体电子学专业的从业人员及科技工作者参考。
作者简介BenGStreetman是德克萨斯大学(TheUniversityofTaxesatAustin)工程学院院长，并担任DulaD．CockrellCentennial工程部主席。他曾在1984—1996年期间担任德克萨斯大学微电子研究中心主任一职；目前是电子与计算机工程系教授，从事半导体材料与器件的教学和科研工作。1966年从德克萨斯大学获得博士学位后，在伊利诺斯大学(TheUniversityofIllinoisatUrbana-Champaign)任教，直到1982年重返德克萨斯大学。他曾获得的荣誉主要有：1989年电子电气工程师协会(IEEE)颁发的教育勋章；1981年美国工程教育协会(AsEE)颁发的FrederickEmmonsTerman奖章，以及化合物半导体国际会议颁发的HeinrichWelker奖章。他是国家工程院院士，同时也是IEEE和电化学协会会员。曾荣膺德克萨斯大学奥斯汀分校优秀学生和工程学院优秀研究生称号。因在电子工程教学方面成绩斐然，曾被授予GeneralDynamicsAward奖；他的本科生的教学工作受到广泛赞誉。他曾在工业界、政府的许多专门小组和委员会中担任重要职务。他发表的论文有270多篇；在他的指导下，先后有33名来自电子工程、材料、物理等学科的学生获得了博士学位。
目录第1章晶体性质和半导体生长
1．1半导体材料
1．2晶格
1．2．1周期结构
1．2．2立方晶格
1．2．3晶面与晶向
1．2．4金刚石晶格
1．3块状晶体生长
1．3．1原材料的制备
1．3．2单晶的生长
1．3．3晶片加工
1．3．4晶体掺杂
1．4薄层晶体的外延生长
1．4．1外延生长的晶格匹配
1．4．2汽相外延
1．4．3分子束外延
习题
参考读物
第2章原子和电子
第3章半导体的能带和载流子
第4章半导体中的过剩载流子
第5章半导体p—n结和金属一半导体结
第6章场效应晶体管
第7章双极结型晶体管
第8章光电子器件
第9章半导体集成电路
第10章负电导微波器件
第11章功率半导体器件
附录
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