王太宏教授博士生导师
男，1966年11月出生，1986年毕业于荆州师范学院（现已合并为湖北省荆州市长江大学）物理专业，1993年中科院物理所博士毕业。1998年入选中科院“百人计划”，1999年国家杰出青年基金获得者。主要从事了以单电子器件为核心的纳米器件的制备、表征及其应用研究工作。目前的研究课题有纳米器件的制备及特征研究、纳米器件的物理研究、纳米器件制备中的微纳加工技术研究、超敏感探测技术研究及纳米器件的集成及其电路研究。主要研究方向：纳米器件的制备、表征及其应用研究。在研项目有中国科学院“百人计划”、国家杰出青年基金、国家“973”（IT前沿中的固态量子结构、量子器件及其集成技术）、科学院纳米器件重大研究项目等。近四年申请专利54项，发表论文100多篇，其中在Applied Physics Letters上发表论文30余篇。
1999年获国家杰出青年基金项目资助，2006年被聘为教育部长江学者特聘教授、获国务院政府特殊津贴，2007年度被聘为国家“973”首席科学家。主要从事微纳加工技术和超敏感探测研究，研制出了对电荷超敏感的库仑计（可探测万分之一的电子电荷）。申请了57项专利（已授权50项），在应用物理研究最权威的期刊Appl. Phys. Lett.上就发表了70多篇的高水平论文。负责承担了17个国家研究项目和两个重大横向研究项目。
并附有多项专利：
专利号
专利类型申请日
授权日专利名称
（单击名称查看详细信息）发明人
（单击姓名查看个人专利）证书发明专利
200410102574.62004-12-24
2007-10-3碳纳米管的生物学应用阎锡蕴、高利增、王太宏、聂棱1发明专利
03136606.62003-5-19
2006-8-23一种纳米孔氧化铝模板的生产工艺符秀丽、江南、王太宏1发明专利
03131082.62003-5-14
2006-4-12一种提高纳米材料电性能的方法李秋红、王太宏1发明专利
03136105.62003-5-14
2006-8-9一种高性能纳米晶体管的制备方法李秋红、王太宏1发明专利
02149405.32003-2-14
2006-9-13基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02149483.52002-11-21具有多个稳定存储状态的单电子存储器及制法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02131272.92002-9-24
2006-1-11用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02131274.52002-9-24
2006-6-28两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02125967.42002-8-7
2005-11-23以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02125880.52002-8-1基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02123969.X2002-7-11
2006-6-28可在室温下工作的单电子存储器及制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02123970.32002-7-11
2006-4-26具有高集成度的单电子存储器及其制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02123661.52002-7-8
2006-3-29碳纳米管半加器及其制备工艺赵继刚、王太宏1发明专利
02123860.X2002-7-5
2006-1-11碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺赵继刚、王太宏1发明专利
02123862.62002-7-5
2006-3-29碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法赵继刚、王太宏1发明专利
02123863.42002-7-5
2006-1-11利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件赵继刚、王太宏1发明专利
02123864.22002-7-5
2006-4-19利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法赵继刚、王太宏1发明专利
02123865.02002-7-5
2006-6-28具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法赵继刚、王太宏1发明专利
02123861.82002-7-5
2006-1-11碳纳米管“或否”逻辑器件赵继刚、王太宏1发明专利
02123459.02002-6-28
2005-7-6复合量子点器件及制备方法竺云、王太宏1发明专利
02123464.72002-6-28
2005-7-6量子点器件的三端电测量方法竺云、王太宏1发明专利
02120849.22002-6-5
2006-8-16利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02120847.62002-6-5
2006-4-19具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02120848.42002-6-5
2006-6-28利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
02120850.62002-6-5
2006-6-28利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法孙劲鹏、王太宏1发明专利
01101944.12001-1-18
2004-10-6对电荷超敏感的库仑计及其制备方法王太宏1发明专利
01101945.X2001-1-18
2004-10-6有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计及其制备方法王太宏1发明专利
01100835.02001-1-15
2004-8-4点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(一)王太宏1发明专利
01100834.22001-1-15
2004-8-4点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(二)王太宏1发明专利
00133517.02000-11-9
2004-7-28一种单电子晶体管及其制备方法王太宏1
实用新型专利号
专利类型申请日
授权日专利名称
（单击名称查看详细信息）发明人
（单击姓名查看个人专利）证书实用新型
02285490.82003-2-14
2004-3-10单电子三值存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02289264.82002-11-22
2003-8-13使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02257077.22002-9-24
2003-9-3用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02257080.22002-9-24
2003-9-24利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02244310.X2002-8-7
2003-8-20用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02244235.92002-8-1
2003-8-20基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02240127.X2002-7-11
2003-7-23可在室温下工作的单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02240125.32002-7-11
2003-8-13一种平面磁控溅射靶马利民、王太宏、张德安1实用新型
02240126.12002-7-11
2003-8-13可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02239614.42002-7-5
2003-8-20碳纳米管“或”门逻辑器件赵继刚、王太宏1实用新型
02239615.22002-7-5
2003-6-18碳纳米管式集成场效应管赵继刚、王太宏1实用新型
02239613.62002-7-5
2003-8-13具有碳纳米管结构的随机存储器赵继刚、王太宏1实用新型
02239612.82002-7-5
2003-8-13单壁碳纳米管“与”门逻辑器件赵继刚、王太宏1实用新型
02238032.92002-6-28
2003-4-23具有复合结构的量子点器件竺云、王太宏1实用新型
02237210.52002-6-5
2003-4-23具有碳纳米管结构的非挥发性随机存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
02237211.32002-6-5
2003-5-21具有碳纳米管结构的单电子存储器孙劲鹏、王太宏1实用新型
01201857.02001-1-18
2001-11-28对电荷超敏感的库仑计王太宏1实用新型
01201858.92001-1-18
2001-11-28有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计王太宏1实用新型
01200511.82001-1-15
2002-6-19点接触平面栅型单电子晶体管王太宏1实用新型
01200510.X2001-1-15
2002-6-19单电子晶体管王太宏1
