冯玉春

冯玉春博士，高级工程师，女，1961年2月生，湖南人，硕士导师。1982年1月毕业于湖南大学半导体专业，获学士学位，1988年7月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业，获硕士学位，1996年10月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业，获博士学位。1999年9月调入深圳大学光电子学研究所。 长期从事半导体材料与器件的研制与开发工作。先后主持国家“八·五”科技攻关项目“MCT研究”，研制出10A、1000V、关断时间达1.5微秒的MCT样品，并通过国家“八·五”鉴定验收；参加了国家“八·五”攻关项目“IGBT研究”，研制出了35A/1200V IGBT单管和50A～200A，600V～1200V二单元IGBT摸块，并通过国家“八·五”攻关鉴定验收。研制了非晶硅和非晶氮化硅材料，所研制的非晶场效应晶体管通态与断态电流比达六个数量级。 参加了大功率可控硅及其快速晶闸管的研制与生产，如《舟山直流输电用可控硅的研制》、《高可靠性可控硅》和《特大功率晶闸管的研制》等课题，并从事产品ISO9001系统的建立。曾获陕西省机械局科学技术进步奖二等奖2项、陕西省机械局科学技术进步奖一等奖1项、西安市科学技术进步奖三等奖1项、西安市科学技术进步奖二等奖1项、陕西省科学技术进步奖三等奖1项。发表论文十余篇。 调入深圳大学后，负责半导体实验室的筹建和设备调研、定购与安装调试工作。目前正在从事氮化镓基材料与器件的研制，研究如何有效地提高LED的外量子效率，在建立相关理论模型的基础上进行CAD辅助设计，优化LED输出层结构图形和材料；研究氮化镓基LED的发光机制，氮化镓基材料的MOCVD外延生长技术、缓冲层的影响以及在不同衬底上优质异型外延材料的生长。

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