王培大 高级工程师。男，1935年8月生，四川广安人。大学。中国科学院半导体研究所。离子束开放室学术委员。1960年毕业于西北工业大学机械系。一直从事半导体工艺设备设计、平面晶体管和特殊器件研制、大规模集成电路工艺技术研究工作。获中国科学院技术设备进步奖、科技进步奖、国家重大发明奖多项，LC4－700KeV高能离子注入机获国家科技进步二等奖。发表论文近40篇。研究方向：离子注入工艺和设备。[1]
王培大 高级工程师。男，1935年8月生，四川广安人。大学。中国科学院半导体研究所。离子束开放室学术委员。1960年毕业于西北工业大学机械系。一直从事半导体工艺设备设计、平面晶体管和特殊器件研制、大规模集成电路工艺技术研究工作。获中国科学院技术设备进步奖、科技进步奖、国家重大发明奖多项，LC4－700KeV高能离子注入机获国家科技进步二等奖。发表论文近40篇。研究方向：离子注入工艺和设备。[1]