作者：刘新福杜占平李为民
ISBN：10位［7502441018］13位［9787502441012］
出版社：冶金工业
出版日期：2007-01
定价：￥28.00元
内容提要本书在介绍电学参数测试原理的基础上，重点介绍了具有国际先进水平的国内外首台微区电阻率测试仪原理与应用，具有很高的实际应用价值。全书共分11章，1-6章讨论了微区电学参数测试的重要性，综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymasze-wski四探针测试方法；研究四探针测试技术中的共性问题，介绍了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量的原理。7-11章重点讨论了测试技术在材料科学等领域的分析与应用及无接触测量技术。
编辑推荐本书在介绍电学参数测试原理的基础上，重点介绍了具有国际先进水平的国内外首台微区电阻率测试仪原理与应用，具有很高的实际应用价值。全书共分11章，1-6章讨论了微区电学参数测试的重要性，综述了当今已研究出来的各种半导体测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymasze-wski四探针测试方法；研究四探针测试技术中的共性问题，介绍了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量的原理。7-11章重点讨论了测试技术在材料科学等领域的分析与应用及无接触测量技术。
目录1半导体微区电阻测量技术
1.1微区电阻测试相关因素分析
1.2国内外薄层电阻测试方法综述
1.3图像处理与分析及共在半导体薄层电阻测量中的应用
参考文献
2四探针技术测量薄层电阻的原理分析
2.1国探针测试技术概述
2.2常规直线四探针法
2.3改进的范德堡法
2.4斜置式方形Rymaszewski四探针法
2.5小结
参考文献
3四探针测试技术中的共性问题
3.1测试探针
3.2测试设备的校准及环境对测量的影响
3.3四探针测试中的边缘修正问题
3.4小结
参考文献
4四探针仪测控系统及其实现
4.1机械系统设计
4.2四探针仪测试系统设计
4.3光学监视系统
4.4小结
参考文献
5游移对测试结果的影响及测量薄层电阻的改进Rymaszewski方法
5.1方形四探针测试中探针游针对测试结果造成的误差分析
5.2方形国探针法与常规直线四探针法游移造成误差的对比分析
5.3用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方电阻
5.4小结
参考文献
6探针图像预处理及边缘检测
7探针的图像侵害、定位控制与检测精度分析
8电阻率的无接触测量及自动测试技术
9高电阻率材料的电学参数测量
10扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用
11外延片的物理测试
