男，1928年生，半导体材料专家。福建福州人。1951年厦门大学电机系毕业后留 校，1953年调浙江大学工作至今。1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷；负责并领导了极高阻硅单晶的研制，并成功地研制出探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，进行了新的测试方法和理论研究，提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号；发展了单色红外光电导衰减寿命的测试技术和理论，研制生产了仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。80年代，首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶，开辟了微氮直拉硅单晶基础研究工作。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
1959年 开始硅材料研究工作。先后主持并完成的研究课题有硅烷法制取高纯硅；红外光源硅单 晶寿命仪；减压充氮直拉硅单晶技术；双频动态电导法硅单晶导电型号仪．1超高纯硅烷 国家六五攻关；探测器级特高阻硅单晶国家六五、七五攻关项目；微氮直拉硅单晶的基 础研究有关课题和多孔硅发光机理研究等。先后为本科生、研究生开设《电工材料》、《半导体材料》、《近代物理基础》等课程。其中国家攻关项目都获得四委表彰。除省部 级奖外,“全分了筛吸附法提纯硅烷”获1980年国家发明三等奖；“高额109／m红外光电 导衰减硅单晶少子寿命测试仪”获1988年国家发明三等奖；“减压充氮直拉硅单晶技术 获1989年国家发明二等奖。发表的重要论文50余篇。获中国发明专利权8项。个人荣获国家级有突出贡献的中青年专家、浙江省劳动模范、全国五一劳动奖章。