这是一种测量p-n结深度的技术。见图示，即是首先把制作好p-n结的Si片粘贴在具有小斜角（θ）的金属块上，进行研磨，让p-n结截面显露出来，然后用化学试剂染色（p区有较快的化学反应，将呈现出较暗的颜色），并在显微镜下测量出垂直看下去的长度d（不是斜面上的长度），从而求得p-n结的深度x；在θ<1情况下，可有x≈θd 。