达林顿（Darlington）晶体管达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管（见图1）；其中第一个BJT（T1）是CC组态（射极跟随器），第二个BJT（T2）是CE组态。从功能上来说，该达林顿晶体管实际上它也就等效于一个CE组态的n-p-n晶体管（极性与T2管相同）。
因为作为射极跟随器的T1和发射极接地的T2这两个晶体管都具有很大的电流增益，因此达林顿晶体管的总电流增益也就更大（总增益等于T1和T2的电流增益的乘积）。达林顿晶体管的输入电阻是由较高的T1的输入电阻与其后面的折合电阻串联而成的，故达林顿晶体管的输入电阻也很高。正因为达林顿晶体管具有很大的电流增益和很高的输入电阻，所以它在IC中得到了广泛的应用。
但是，达林顿晶体管也有若干不足之处。其一是输出电阻很低（因为射极跟随器T1的输出电阻很低，故复合管的输出电阻比单个晶体管的还要低）；其二是跨导很小，这是由于其输入电阻很高，以致输入电压的变化难以引起输出电流发生较大变化的缘故；其三是达林顿晶体管的频率特性较差，因为其中T1的集电结势垒电容是一个Miller电容的缘故。其四是多采用了一个晶体管（两个晶体管起着一个晶体管的作用），这在IC中即增加了所占用芯片的面积；然而，构成达林顿管的两个晶体管可以放置在一个隔离区中（因为它们的集电极是连接在一起的，电位相同），这对于集成又是有利的。
CC-CE复合管这种复合晶体管也是由两个n-p-n晶体管构成的（见图2），第一个BJT（T1）是CC组态（射极跟随器），第二个BJT（T2）是CE组态，总的可等效为一个CE组态的n-p-n晶体管（极性与T2管相同）。该复合晶体管与达林顿晶体管的差别仅在于T1的集电极不与T2的集电极相连接。这一接法上的小小改动，却对于提高复合晶体管的频率特性大有好处，因为这时T1的集电结势垒电容就不再是Miller电容了；而且该复合晶体管的其它性能参数（输入电阻、电流增益和跨导等）都与达林顿晶体管的相同，并且输出电阻还有所提高（这时的输出电阻就等于T2的输出电阻）。因此CC-CE复合管在IC中大有用武之地。
复合p-n-p晶体管这是把CE组态的p-n-p晶体管（T1）与CC组态的n-p-n晶体管（T2）组合起来构成的一种复合器件（见图3），其功能就相当于一个p-n-p晶体管。其中的T1和T2都具有较大的电流增益，则复合器件的总电流增益大大提高（等于两个晶体管的增益的乘积）；复合器件的总输入电阻就等于T1的输入电阻，但总的输出电阻却因为T2的输出电阻很低而被大大降低了；又，复合器件的总跨导也随着电流增益的提高而得到了很大的提高。
这种复合器件在IC中具有重要意义。因为通过这种组合可以把横向p-n-p晶体管（具有较小的电流增益）的电流增益大大提高，以满足使用的要求。
