漂移晶体管（Drift transistor ）也称为缓变基区晶体管，就是它的基区掺杂浓度的分布是缓慢变化的，则其基区中存在有能加速少数载流子运动的自建电场E，故有漂移晶体管之称。由于基区自建电场对少数载流子的加速作用，漂移晶体管的放大性能和频率性能等都比均匀基区晶体管的要优越。现在所使用的Si平面晶体管等，基区都是通过扩散掺杂来形成的，因此也都是漂移晶体管。（只有合金晶体管可认为是均匀基区晶体管。）
对漂移晶体管，其基区的电子电流既有扩散电流, 也有漂移电流，在基区掺杂浓度是指数分布的情况下（表面浓度小，里面浓度大），在基区中可得到恒定的漂移电场。漂移晶体管的所有性能都可以在均匀基区晶体管的基础上简单地给出：只要采用Gummel数来代替均匀基区晶体管的有关表示式中的WNb（W是基区宽度，Nb是基区掺杂浓度）即可；Gummel数就是单位面积中性基区的杂质总量。
