半导体中载流子的扩散系数就是表征在浓度梯度驱动下扩散运动快慢的一个重要物理参量。一般多是指一种载流子（主要是少数载流子）的扩散系数。但是如果在大注入情况下，电子和空穴的浓度相当，其作用也都同等重要，因此载流子的扩散系数和寿命就需要采用另外等效的相关物理量来表示，这就是双极扩散系数和双极寿命。
对于轻掺杂半导体，双极扩散系数为 Da = (n + p) / [ (n/Dp) + (p/Dn) ] ，双极寿命为 τa = -Δp / U = -Δn / U 。
在大注入极限时，Da = 2 Dn Dp / (Dn + Dp) = 2 Dn / (1+ b) , τa = τn +τp 。对Si：b≡μn /μp = 3，Da = 1.5 Dp = 0.5 Dn 。式中Dp和Dn分别是空穴和电子的扩散系数，τn和τp 分别是电子和空穴的寿命。