深耗尽状态（Deep depletion condition）是半导体表面或者界面的一种特殊的载流子被耗尽的状态。
当半导体表面在外电场作用下，表面能带即将发生弯曲，并将出现载流子浓度发生了变化的各种表面状态。如果外电场使得半导体表面的表面势(ψs)大于0、并接近半导体Fermi势(ψb)时，半导体表面即成为载流子缺少的所谓耗尽状态；进一步，如果ψs =ψb，则表面耗尽层厚度达到了最大，但还没有出现反型层时的表面，即为所谓弱反型状态；如果ψs ≥ 2ψb，则表面耗尽层厚度达到了最大、并出现了反型层，这就是所谓强反型状态。相反，如果外电场使得半导体表面的表面势(ψs)小于0，在表面附近处积累有大量的多数载流子，则成为所谓积累状态。
然而若是脉冲式外电场的作用，即使达到了ψs ≥ 2ψb，但由于少数载流子的产生需要一定的寿命时间，则也不会立即出现反型层，而仍然保持为耗尽的状态（这时的耗尽厚度比最大耗尽层厚度还要大）；这种多数载流子完全被耗尽了的，应该出现、而又一时不出现反型层的半导体表面状态，就特别称为深耗尽状态。
半导体表面深耗尽的区域是少数载流子的一种势阱，可以容纳注入到其中的少数载流。电荷耦合器件（CCD）就是利用半导体表面深耗尽势阱来存储信号电荷、并进行电荷转移的一种器件，它可用于摄象（光注入信息电荷）、信息处理和数字存储等的。