（一）基本概念：密勒电容(Miller Capacitance)就是跨接在放大器（放大工作的器件或者电路）的输出端与输入端之间的电容。密勒电容对于器件或者电路的频率特性的影响即称为密勒效应。
密勒效应是通过放大输入电容来起作用的，即密勒电容C可以使得器件或者电路的等效输入电容增大(1+Av)倍，Av是电压增益。因此很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。
（二）减弱密勒效应的措施：采用平衡法或中和法可以适当地减弱密勒电容的影响。该方法即是在晶体管的输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的；当然，为了有效地抑制密勒效应，即应该要求中和电容与密勒电容正好完全匹配（实际上，由于作为密勒电容的晶体管输出电容往往与电压有关,所以很难完全实现匹配，因此需要进行多种改进）。
（三）密勒电容对器件性能的影响：密勒电容对器件的频率特性有直接的影响：（1）对于BJT的影响：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。而在共基极（CB）组态中，集电结和发射结的势垒电容都不是密勒电容，故CB组态的频率特性较好，工作频率高、频带宽。因此，把CE与CB组态结合起来，即可既提高了增益(CE的作用)，又改善了频率特性（CB的作用）。对于由CC和CE组态构成的达林顿管，情况与CE组态相同，故频率特性较差。而对于CC-CE复合管，因为去掉了密勒电容，故频率特性较好。（2）对于MOSFET的影响：MOSFET的输出电容是栅极与漏极之间的覆盖电容Cdg。在共源组态中，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。在共栅极组态中，Cdg不是密勒电容，故频率特性较好。对于MOSFET的共源-共栅组态，则既提高了增益（等于两级增益的乘积，共源组态起主要作用），又改善频率特性（共栅极组态起主要作用），从而可实现高增益、高速度和宽频带。
（四）密勒电容的用处：密勒电容也具有一定的好处，例如：
① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作IC中的频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；
② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。
