由金属(M)-绝缘体(I)-半导体(S)组成的体系称为MIS结构，以这种结构形成的器件称为MIS器件（MIS二极管）。如果其中的绝缘体是SiO2，则相应地为MOS结构和MOS二极管。
（一）MIS器件的基本功能：
MIS器件的功能主要决定于其中绝缘体层的厚度：
（1）假若绝缘体层的厚度足够大（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大于5nm），则基本上不导电，这时即为MIS电容器；
（2）假若绝缘体层的厚度足够薄（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大约为1nm），则绝缘体基本上不起阻挡导电的作用（阻抗极小），这时即为Schottky二极管；
（3）假若绝缘体层的厚度不是很薄、也不是很厚（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大约为1nm～5nm），则这时载流子有较大的几率通过隧道效应而穿过绝缘体层，这种结构的器件即称为MIS隧道二极管。
（二）MIS隧道器件：
由于MIS隧道二极管的独特性能，具有许多用途，现在已经发展成了一大族的器件（MIS隧道器件），如MIS太阳电池、MIS开关管、MIM隧道二极管、MIMIM隧道晶体管等[1]。