晶体管自对准技术

王朝百科·作者佚名  2010-07-30
窄屏简体版  字體: |||超大  

自对准技术(Self-aligned technology):

这是制作MOS大规模集成电路的一种重要工艺技术。采用该技术即可减小其中MOSFET的寄生电容,大大提高工作频率和速度。

(1)问题的提出:

对于增强型MOSFET,如果栅电极与源/漏区域之间存在有间隙的话,则器件工作时沟道就不能导通,因此在早期的铝栅电极MOSFET结构中,考虑到工艺对准的误差,往往在栅电极与源/漏区域之间设置了一定的重叠覆盖的部分;但是,假若此重叠部分过大、使得栅-源之间和栅-漏之间的寄生电容增大的话,那就会导致器件的高频特性变坏(特别,栅-漏之间的寄生电容是密勒电容,影响更大)。所以,为了使器件能够导通,而又不致使器件的高频特性劣化,就要求栅-源之间或栅-漏之间的重叠部分尽量的小,即达到高精度的对准。自对准技术就是能实现这种目的的一种有用的技术。

(2)工艺举例:

自对准技术与常规技术的工艺步骤完全不同,在常规的MOS技术中是先制作源、漏极,然后再制作栅极;但是自对准技术则是先制作栅极,然后再制作源、漏极。在自对准技术中,实际上就是利用栅极本身作为掩模来进行n源区和漏区的离子注入,使得其间的重叠部分几乎减小到了0;能够用作为自对准技术的栅极材料,必须要使用耐热性好的多晶硅薄膜才行,因为在注入约10cm的P或As离子后还需要在800C~1000C下进行热处理,这对于Al栅材料是不行的。在用离子注入自对准形成n源区和漏区的同时,也往多晶硅栅极薄膜中注入了P或As离子,这也有效地降低了多晶硅栅极的电阻(热处理后方块电阻可低至30Ω/□)。

当然,在某些特殊场合,也有采用不同于这里所讲的自对准技术。[1]

 
 
 
免责声明:本文为网络用户发布,其观点仅代表作者个人观点,与本站无关,本站仅提供信息存储服务。文中陈述内容未经本站证实,其真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
 
 
© 2005- 王朝網路 版權所有 導航