多晶硅发射极晶体管，Polysilicon emitter transistor（PET）：
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重要材料..而掺杂的多晶硅膜则可用作双极晶体管的发射极和MOS器件的栅极.用重掺杂多晶硅作为CMOS晶体管的栅极和NPN晶体管的发射极，可以获得较薄的结深，减小栅极和发射极的寄生参数，从而提高器件的速度性能。采用薄栅氧化层（35 nm）和栅与源漏的自对准结构，减小器件的寄生参数，获得更高性能的CMOS晶体管。
为了提高BJT的放大和频率等性能，必须减薄基区厚度；在制造工艺上这就要求进行浅基区扩散和浅发射区扩散（因为杂质热扩散是一种在原子热运动基础上的定向运动，扩散时间越长、深度越大，扩散原子的分散性就越大，则所获得的结面就越不平坦，这就难以实现很薄的基区宽度）。
但是浅的发射区（比少数载流子扩散长度小时），由于表面复合作用增大，则发射区中少数载流子的浓度梯度较大（如图中的红点线所示），这就将使得发射结的注射效率降低，并从而影响到晶体管的放大系数。因此，要克服BJT浅扩散的这种不良影响，就必须减小发射区表面的复合作用，使发射区中少数载流子浓度的分布梯度减小。据此，就采用在薄发射区表面上覆盖多晶硅薄膜的办法来降低表面复合作用（见图示，表面复合速度减小的程度与多晶硅薄膜的制备工艺有关），从而降低了发射区中少数载流子浓度的梯度（如图中的红实线所示），提高了发射结效率和电流放大系数；这也就得到了多晶硅发射极晶体管。所以，多晶硅发射极晶体管是一种性能优于常规BJT的新型高频、高速器件。[1]
