量子阱雪崩光电二极管，QW-APD（Quantum Well APD）：
这是雪崩光电二极管（APD）的一种改进结构的新型器件。因为要降低APD的噪音和提高增益-带宽积，就要求i型区中电子的电离率an>>空穴的电离率ap，但这对III-V族化合物半导体而言是不可能实现的，就是对于Si而言，在较高电场时an与ap也是比较接近的。然而如果采用包含有很多量子阱的超晶格材料，则可以做到an>>ap，即是用超晶格材料代替pin结中的i层（见左边图示）；这时因为ΔEc>>ΔEv，则电子被“加热”厉害，比值（an/ap）可增大8~10倍，从而降低了噪音和提高了增益-带宽积。进一步，若采用缓变带隙超晶格材料来取代pin结中的i层（见右边图示），这还可更加增大ΔEc，使倍增过程几乎完全由信号所控制，噪音大大得以降低。[1]
