表面量子化（Surface quantization）：
这是指半导体表面反型层（表面沟道）中载流子的能量量子化。在表面反型层中，虽然载流子在平行表面的方向上是自由运动的，但是在垂直表面的方向上却被限制在很窄的近似为三角形的势阱之中；当半导体掺杂浓度较高时，该三角形势阱就将窄而深，其势阱的宽度即可与德布罗意波长相比较，从而出现量子化现象——能量不连续，反型层中的电子即处在分立的子能带中，这就是表面量子化。由于这种效应，表面反型层中的载流子电荷重心将往体内有所移动，从而将对MOS 器件的阈值电压产生一定的影响。[1]
