渡越时间器件（Transit-Time Device，TTD）：
TTD是利用载流子在渡越漂移区的过程中所造成的输出电流与电压之间的相位差、再加上载流子注入的相位差来实现微波振荡的一种有源微波器件。
根据注入载流子机理的不同，可以有几种不同工作模式的TTD，即碰撞电离雪崩注入渡越时间二极管（IMPATTD）、势垒注入渡越时间二极管（BARITTD）、隧穿注入渡越时间二极管（TUNNETTD）、双速度渡越时间二极管(DOVETTD) 和俘获等离子体雪崩触发渡越时间器件 (TRAPATTD) 等几种器件。TTD与转移电子器件（TED）等几种微波器件的输出功率~频率特性的比较见图示。[1]