MESFET（Metal-Semiconductor FET），即金属-半导体[接触势垒]场效应晶体管：
（1）基本概念：
MESFET是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比，只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅，则热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱；但是金属-半导体接触可以低温形成，而且不仅可用Si，而且也能采用GaAs材料来制造出性能优良的晶体管。
但是，对于InP这种化合物半导体，由于其Schottky势垒高度较低，难以制作出性能良好的MESFET。一般，InP可以制作出MISFET，而难以制作出MESFET；GaAs可以制作出MESFET，但难以制作出MISFET（由于GaAs的表面态密度太大）。
（1）与JFET的比较：
MESFET的工作原理与JFET基本相同, 但是有两点差异:
a）在短沟道(0.5~2μm) GaAs-MESFET中, 速度饱和模型能较好地描述I-V特性(虽然饱和机理是由于谷间跃迁而引起的速度饱和，但与Si和SiC等的MESFET相同，都将产生偶极畴并使电流饱和)；
b）对于栅长<0.5μm的GaAs-MESFET, 由于GaAs中电子的能量弛豫时间>>动量弛豫时间，则电子的输运将是瞬态的, 有明显的速度过冲效应(对短沟道Si器件, 无明显的速度过冲)。
GaAs-MESFET具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如，对于栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音，在C波段时为1 dB (相应的BJT为2 dB)，在Ku波段时为2.5~3 dB (相应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等；这是由于与硅相比，n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值漂移速度要大2倍，而且器件的衬底可用半绝缘GaAs（SI- GaAs ）以减小寄生电容。
此外，HEMT由于其栅极往往是Schottky势垒栅，故实际上也可以看成是一种性能特别优良的超高频、超高速的MESFET。[1]
