假次生包裹体（pseudosecondary inclusion）是矿物晶体生长过程中受到应力作用影响产生微小裂隙，此时生长晶体的流体介质自然地进入其中，并被继续生长的主矿物晶体圈闭而形成的包裹体。它们沿主矿物晶体内部裂隙（未切穿主矿物晶体）分布，所封存的流体同是形成原生包裹体和主矿物的流体，与原生包裹体具有相同的代表性，但其空间分布上却具有与次生包裹体相似的特征，但不切穿主矿物颗粒边界，是真原生的假次生包裹体。[1]
假次生包裹体（pseudosecondary inclusion）是矿物晶体生长过程中受到应力作用影响产生微小裂隙，此时生长晶体的流体介质自然地进入其中，并被继续生长的主矿物晶体圈闭而形成的包裹体。它们沿主矿物晶体内部裂隙（未切穿主矿物晶体）分布，所封存的流体同是形成原生包裹体和主矿物的流体，与原生包裹体具有相同的代表性，但其空间分布上却具有与次生包裹体相似的特征，但不切穿主矿物颗粒边界，是真原生的假次生包裹体。[1]