离子晶格（ionic crystal lattice）是晶体结构中质点间的结合以离子键占主导地位的晶格。组成离子晶格的质点是离子（包括络离子），阳离子大多具有中等数值（6左右）的配位数。离子晶格晶体一般表现为透明或半透明，具非金属光泽，硬度和熔点一般较高，是电的不良导体，但熔融或溶解后能导电。[1]
处理了光场(电磁场)与离子晶体的非简谐性振动之间的相互作用问题。导出了用简正坐标即声子模式所表达的非线性晶格动力学和非线性宏观极化。在旋转波近似下,得到在入射光驱动下光子-声子耦合体系的总的相干性哈密顿算符。通过相应的静态方程证明该耦合系统会出现增强吸收型光学双稳性,这也就证明了光场与各种玻色子型固体元激发,如光频支声子和半导体中激子的非线性耦合可以作为增强吸收型光双稳的机制。
GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
Investigation of annealing and ion implantation in GeSi/Si strained superlattice
用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致。