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flashrom

王朝百科·作者佚名  2010-08-25
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FlashROM

快速擦写只读编程器。也就是我们常说的“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM不需要。

一、闪存简介

Flash-ROM(闪存)已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存,与 EEPROM 相比具有读写速度快,而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术(后将该技术无偿转让给韩国Samsung公司),强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了十多年之后,仍然有相当多的工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存,也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高资料存储密度的理想解决方案。

NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在闪存内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高,在 1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的原因。应用 NAND 的困难在于闪存和需要特殊的系统接口。

二、性能比较

闪存是非易失内存,可以对称为块的内存单元块进行擦写和再编程。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND 之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

1) NOR的读速度比NAND稍快一些。

2) NAND的写入速度比NOR快很多。

3) NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。

4) AND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

三、接口差别

NOR 闪存带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND闪存使用复杂的I/O口来串行地存取资料,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。

NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。

四、容量和成本

NAND 闪存的单元尺寸几乎是NOR闪存的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

NOR 闪存容量为1~11~16MB闪存市场的大部分,而NAND 闪存只是用在8MB以上的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于资料存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

五、可靠性和耐用性

采用闪存介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,闪存是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND内存除了具有10:1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND内存块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换

所有闪存器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误纠正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供货商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

六、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其它内存那样连接,并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映像。

七、软件支持

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

八、典型的 NOR 闪存(Strata Flash)

Strata Flash是 Intel公司产的典型 Nor Flash, 本机使用的Strata Flash 是该系列中的 28F320J3。

它的特性如下:

1) 问速度有 110ns/120ns 和150ns 共 3档

2) 具备128bit 加密寄存器

3) 块尺寸:128KB

九、典型的 NAND 闪存(K9S5608)

K9S5608 是韩国 Samsung 公司所产的 256MBit(32MByte) SMC 卡(外形封装成卡片形式的) NAND 闪存。

K9S5608 具有以下特性:

(1) 32MByte 存储空间的结构为:(32M+1024K)bit×8bit

(2) 支持自动编程和擦除模式

(3) 10uS 随即页面读写

(4) 200uS 快速页面擦除周期

(5) 具备硬件写保护功能

(6) 擦/写寿命:10 万次

(7) 资料保存寿命:10 年

 
 
 
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