一. 个人成就
彭英才,男,教授,博士生导师,自1974年毕业留校任教以来,一直从事半导体技术与微电子学的教学与科研工作.1990-1991年作为访问学者赴日本丰桥技术科学大学进行Al膜的光化学全相沉积研究.2000-2001年,作为访问研究员,赴日本广岛大学进行Si纳米量子点的低压化学气相沉积研究.在长期的教学工作中,先后共开设<集成电路工艺原理>等六门本科生课程和<凝聚态物理学导论>等三门硕士研究生课程,并取得了良好的教学效果.在科研工作中,先后从事Si-SiO2界面的电学特性,薄膜的光化学气相沉积,Si基纳米材料的制备与发光特性研究,共发表学术论文100余篇,先后主持完成河北省自然科学基金项目和河北省教委基金项目各一项，目前主持和主研河北省自然科学基金各一项，中国科学院半导体研究所开放课题各一项。
二：研究成果
1由本人所主持的“非晶si 及 si 化物薄膜的光化学沉积机理与特性研究”自然科学基金项目，获河北省科学进步三等奖 （2000年）
2先后在“J.APPI.phys”, “Chinese Science Bulletion” “物理学报”等20余种国内外学术刊物上，共独立和合作发表论文100余篇。并有多篇被“SCI”,“EI”,“SA”，“CSCI”和“新华文摘”收录。
3 先后参加了《现代科学技术知识辞典》，《现代科技综述大辞典》和《现代科学技术概论》三部著作的编写.
4在纳米硅膜（nc－Si）的等离体化学气相沉积生长研制中，首次观测到了该结构中的共振隧川现象，并给出了圆满物理解释，本工作发表在1998年的《半导体学报》上。由本人所提出的Si基纳米材料的三种发光模型，得到了同行们的认可，该工作发表在2002年的《Chinese ScienceBullenin》和《科学通报》上。对于晶体有序Si基纳米材料的自组织化生长，提出了两类六种生长模式，已得到同行认可，并准备于2004年在《材料研究学报》上发表。
