IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管。在发射极一侧(MOSFET源极)空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时,就会有部分空穴流经PN+结,造成大量电子注入到P区并进入长基区,从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应(latch up)。
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IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管。在发射极一侧(MOSFET源极)空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时,就会有部分空穴流经PN+结,造成大量电子注入到P区并进入长基区,从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应(latch up)。