DDR是现在的主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求，还推出了更高频率的DDR内存。
DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。
DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。
DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。
选购中要注意的三个重要参数
1、时钟频率：
它代表了内存所能稳定运行的最大频率。现在我们在市场上看到的DDR内存主要是DDR533、DDR667和DDR800。
2、存取时间：
存取时间代表了读取数据所延迟的时间。以前人们有个误区，认为它和系统时钟频率有着某种联系，其实二者在本质上是有着显著的区别的，可以说完全是两回事。存取时间和时钟频率一样，越小则越优。
3、CAS的延迟时间：
这是指纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。我们用CAS Latency(CL)这个指标来衡量。在这里需要友情提醒一下想在近期购买电脑的读者，Intel的处理器相对而言的对延迟时间不敏感，影响Intel处理器性能的主要是内存的时钟频率；而对AMD处理器而言，影响它的主要是CAS延迟时间，因此AMD平台的读者在这个参数上要多多注意。
