形态特征卤化铪.四氯化锆是制备金属锆的重要原料。四氯化锆为白色晶体粉末，在604K升华，密度2.8，在潮湿空气中产生盐酸烟雾，遇水剧烈水解
技术应用早期发现对于每一代半导体技术节点而言，在尽可能保持原有生产制造工艺流程不变的前提条件下，尺寸的缩小无疑将提高CMOS器件的性能。自从1947年发明固态晶体管以来，在整个IC器件结构中，以SiO2为基础的晶体管栅极绝缘层最为关键。它的功能是将晶体管沟道和栅电极两者绝缘隔离，而等效氧化层厚度（EOT）与材料的介电常数k成反比。为了不断提高晶体管性能表现需要更薄的EOT，这也导致了漏电流不断增大。在过去的50年里，业界已经成功地将SiO2为基础的晶体管栅极绝缘层减薄到了几十埃的厚度。近年来更是成功的采用氮化处理技术，获得了介电常数更高的SiON薄膜栅极绝缘层。采用更高k值薄膜能够在不断降低EOT的同时，确保有足够的绝缘材料厚度来减少漏电流。现在及未来应用目前，缩减SiON薄膜的厚度也已经达到了材料的物理极限；要想进一步提升器件性能，只能通过采用新材料和/或改变器件结构来实现。到了45nm技术节点，一些前沿的逻辑电路制造商宣布将引入铪基
高k绝缘材料来取代SiON薄膜，无疑这是自现代晶体管发明以来，在栅氧绝缘材料领域的第一次重大的变革。为了实现这一目标，科学人员用了十年的时间，克服了大量的困难和挑战，大海捞针般从各种备选材料中挑出确实可靠的解决方案。综合考虑了材料的介电常数和热力学稳定性等物理特性以及极化和固定电荷等电学特性后，研究人员将目光锁定在了铪基氧化物和它的相关化合物上。早期对这种材料的研究表明，由于费米能级钉扎效应和晶体管反型时伴随EOT增厚而产生的多晶硅耗尽效应等方面的负面影响，多晶硅栅电极必须被金属栅电极取代。1,2经过长时间的研究、优化和试生产测试，现在高k绝缘材料/金属栅电极技术已经成功被用于量产中了，这无疑是具有划时代意义的。[1]
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