非极性晶体受到光照时所产生的光生伏打效应有两类:一类是发生在均匀介质中的德姆伯(Dember)效应和光子拖曳效应(Photon一dragofoleetroneffeet);另一类是宏观非均匀材料(如p一n结区)在均匀吸收光时所出现的光伏效应。无论上述那种效应，跨过单一元件上的光伏电压都不超过电子的禁带宽度(一般为数伏)。尽管对某些半导体，如含有CdTe、Si呈、Ge、GaAs、PbS等蒸发层的薄膜，也观察到了每厘米数百伏的电场，但本质上讲，这是德姆伯电动势或p一n结电动势累积迭加的结果。
而在铁电晶体材料中，存在另一类性质完全不同的光生伏打效应。其主要特点是:当均匀铁电晶体受到波长在晶体本征吸收谱区或杂质吸收谱区的光的均匀照射时，若晶体处于短路状态，晶体和外电路中将出现稳态电流，亦即晶体变成光伏电动势源;若晶体处于开路状态，晶体两端将产生相当高的光伏电压，此电压不受
晶体禁带宽度的限制，可比Eg高2-4个数量级，达10^3一10^5伏/厘米，光伏电压的值正比于所测方向上晶体的厚度，因而它是一种体效应;光伏电流的大小和符号与入射光的频率及偏振方向有关。由此可见，这种效应完全不同于己知的各种光伏效应。人们称这一全新的的物理现象为铁电晶体的反常光生伏打效应(AP效应)