1.Introduction：近来，铁晶体管以成为十分惹人注意的一类晶体，其原因在于他们具有相当优异的性能。许多电光晶体、压电材料就是铁晶体管。铁晶体管无论在技术上或理论上都具有重要的意义。
压电材料：物质受机械应力作用时能产生电压，或受电压作用时能产生机械应力的性质。例如：窃听器、Fabry-Perot干涉仪的推进器（陶瓷）、......
电光晶体：折射率在外电场作用下发生改变的材料。例如：Q开关、......
2.铁晶体管的一般特性：其最基本的特性为在某些温度范围会具有自发极化，而且极化强度可以随外电场反向而反向，从而出现电滞回线。
a.自发极化：铁晶体管是电介质中一类特别重要的介晶体管。电介质的特性是：他们以感应而非以传导的方式传播电的作用与影响。按照这个意义来说，不能简单的认为电介质就是绝缘体。在电介质中起主要作用的是束缚着的电荷，在电的作用下，他们以正、负电荷重心不重和的电极化方式传递和纪录电的影响。而铁晶体管是-------即使没有外加电场，也可以显现出电偶极距的特性。因其每单位晶胞带有电偶极矩，且其极化率与温度有关。
b.电滞回线的分析：极化强度P和外电场E间的关系构成电滞回线。一般而言，晶体的压电性质与自发极化性质都是由晶体的对称性决定的，可是对于铁晶体管，外电场能使自发极化反向的特征却不能由晶体的结构来预测，只能透过电滞回线的测定（或介电系数的测定）来判断。
电滞回线表示铁晶体管中存在domain。铁晶体管通常是由许多称为domain的区域所组成，而在每一个domain里面有相同的极化方向，而与邻近的domain其极化方向不同。如果是多晶体，由于晶粒本身的取向是任意的，不同domain中极化强度的相对取向可以是没有规律的。但若是单晶体，不同domain中极化强度取向之间存在着简单的关系。为明确起见，这里只考虑单晶体的电滞回线，并且设极化强度的取向只有两种可能，亦即沿某轴的正向或负向。
假设在没有外电场的存在下，晶体的总电矩为零，及晶体的两类domain中极化强度方向互为相反平行。当外电场施加于晶体时，极化强度沿电场方向的domain变大，而与其反平行方向的domain则变小。这样，极化强度P随外电场E增大而增大，如图中OA段曲线所示。电场强度的继续增大，最后使晶体只具有单个的domain，晶体的极化强度达到饱和，这相当余图中C附近的部分，将这线性部分推延至外场为零的情形，在纵轴P上所得的杰具称为饱和极化强度（即E点）。实际上，这也是每个domain原来已经存在的极化强度。因此饱和极化强度是对每个domain而言的。如电场自图中C处开始降低，晶体的极大P值亦随之减小，但在零电场时，仍存在剩余极化强度（即D点）。必须注意，剩余极化强度是对整个晶体而言的。当点场反向达到矫顽电场强度时（即F点），剩余极化全部消失，反向电场的值继续增大时，极化强度反向。如果矫顽电场强度大于晶体的击穿场强，那么在极化反向之前晶体已被电击穿，便不能说该晶体具有铁电性。
c.介电常数的测定：当温度高于某一临界温度时，晶体的铁电性消失，并且晶格亦发生转变，这一温度是铁电体的居里点。由于铁电性的出现或消失，总伴随着晶格结构的改变，所以这是个相变过程。当晶体从非铁电相（称顺电相）向铁电相过渡时，晶体的许多物理性质皆呈反常现象。对于一阶相变常伴随有潜热的发生，对于二阶相变则出现比热的突变。铁电相中自发极化强度是和晶体的自发电致形变相关，所以铁电相的晶格结构的对称性要比非铁电相（顺电相）的为低。如果晶体具有两个或多个铁电相时，表征顺电相与铁电相之间的一个相变温度，统称为过渡温度或转变温度。（在此附近时，介电系数常有迅速陡降的现象）。
由于极化的非线性，铁电体的介电系数不是常数，而是依赖于外加电场的，一边，以电滞回线中OA曲线在原点的斜率来代表介电系数，即在测量介电系数ε时，所加的外电场很小。铁电体在过渡温度附近，介电系数ε具有很大的值，数量及达到 ～ ，当温度高于居里点时，介电系数随温度变化的关系遵守居里-外斯定律：
式中 称为特性温度，他一般略低于居里点，C称为居里常数，而 代表电子极化对介电系数的贡献，在过渡温度时， 可以忽略。
3.铁晶体管的分类：现在发现，具有铁电性的晶体很多，但概括起来可以分为两大类：
a.一类以磷酸二氢钾 KH2PO4 --简称KDP--为代表，具有氢键，他们从顺电相过渡到铁电像是无序到有序的相变。以KDP为代表的氢键型铁晶体管，中子绕射的数据显示，在居里温度以上，质子沿氢键的分布是成对称沿展的形状。在低于居里温度时，质子的分布较集中且不对称于邻近的离子，质子会较靠近氢键的一端。
b.另一类则以钛酸钡为代表，从顺电相到铁电像的过渡是由于其中两个子晶格发生相对位移。对于以为代表的钙钛矿型铁电体，绕射实验证明，自发极化的出现是由于正离子的子晶格与负离子的子晶格发生相对位移。
4.铁电体的应用:铁电性: NVFRAMFFET
介电性:大容量电容可调谐微波器件PTC热敏元件
电光效应:光开关光波导光显示器件
声光效应:声光偏转器
光折变效应:光调制器件光信息存储器件
非线性光学效应:光学倍频(BBOLBO)器件参量振荡相共轭器件
压电性:压电传感器换能器SAW马达
热释电效应:非致冷红外焦平面阵列
