Pentium M：由以色列小组专门设计的移动CPU。
其第一代Banias核心，目前公布有以下主频：标准1.6GHz， 1.5GHz， 1.4GHz， 1.3GHz，低电压1.1GHz，超低电压900MHz。为了在低主频得到高效能，Banias作出了优化，使每个时钟所能执行的指令数目更多，并通过高级分支预测来降低错误预测率。另外最突出的改进就L2高速缓存增至1MB（P3-M和P4-M都只有512KB），估计Banias数目高达7700万的晶体管大部分就用在这上。此外还有一系列与减少功耗有关的设计：增强型Speedstep技术是必不可少的了，拥有多个供电电压和计算频率，从而使性能可以更好地满足应用需求。
智能供电分布可将系统电量集中分布到处理器需要的地方，并关闭空闲的应用；移动电压定位（MVP IV）技术可根据处理器活动动态降低电压，从而支持更低的散热设计功率和更小巧的外形设计；经优化功率的400MHz系统总线；Micro－ops fusion微操作指令融合技术，在存在多个可同时执行的指令的情况下，将这些指令合成为一个指令，以提高性能与电力使用效率。专用的堆栈管理器，使用记录内部运行情况的专用硬件，处理器可无中断执行程序。
Banias所对应的芯片组为855系列，855芯片组由北桥芯片855和南桥芯片ICH4-M组成，北桥芯片分为不带内置显卡的855PM（代号Odem）和带内置显卡的855GM（代号Montara-GM），支持高达2GB的DDR 266/200内存，AGP 4X，USB 2.0，两组ATA-100、AC97音效及Modem。其中855GM为三维及显示引擎优化Internal Clock Gating，它可以在需要时才进行三维显示引擎供电，从而降低芯片组的功率。
第二代Pentium M核心代号为Dothan。随着 Dothan 处理器的发布，许多人都把原先的 Banias 处理器和新推出的 Dothan 进行对比， Dothan 是 Intel 首款采用 Strained Silicon 技术的行动芯片。不久以后， Banias 核心的 Pentium M 将逐渐退出历史舞台，采用了 90 纳米技术制造的 Dothan 处理器使用全新的命名方式，目前推出的三款主频分别为 2GHz,1.8GHz,1.7GHz 的 Dothan 处理器，都被归入 Pentium M 7XX 系列编号，而预定 2005 年发售的使用 Dothan 核心的 Celeron M 处理器将采用 3XX 系列编号。
原先的 Pentium M 和 Celeron M 处理器都是基于 Banias 核心设计的，在缓存方面相对从前的处理器都有所提升：Pentium M 为 1M ，而 Celeron M 则提升到了 512K ， Banias 核心是基于 0.13 微米工艺设计的，相对于原先的移动处理器而言， Banias 内核产品在性能和能耗上达到了一个空前的平衡点，在提供相当高性能的同时创造了能耗的最低标准；而全新的 Dothan 内核可以看作是 Banias 的升级版，它采用了更高的 0.09 微米（或称之为 90 纳米）工艺制程，因此完全可以在更低的能耗标准下实现更高的频率，配合更大的缓存（ Dothan 内核 Pentium M 内建 2MB 缓存）这种全新的 Pentium M 处理器的性能可以说达到了一个新的高度，基于 Dothan 核心设计的笔记本电脑产品更容易实现更高的性能、更低的能耗和更为轻薄的机身外观设计。
