注入式激光器
又称p-n junction laser，半导体结型二极管激光器。是目前较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上（p型与n型砷化镓）分别焊上电极，组成谐振腔的两端面要平行，并经过研磨抛光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）组成谐振腔。砷化镓的折射率约为3.6，在半导体与空气的分界面上反射率高于30％，因此，它可提供光反馈作用，使激光振荡能够产生，激光波长约为9040Å。
1969年以后研制成功的砷化镓单异质结和双异质结型激光器，使阈值电流密度（一般约为10^4 A / cm^2）降低到每平方厘米数百安培，并实现了在室温下激光器的连续运转。
半导体激光器件可用在雷达、计算机及通信系统中，或用作视频唱片和声频唱片的光源，它在超高分辨率光谱学、集成光学以及军事等方面有着广泛的应用。
