深亚微米集成电路：通常把0.8-0.35μm及其以下称为纳米级.深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、铜互连技术（不是同互连）等。目前，国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.18-0.25μm,预计2006年主流加工技术将提高到0.1μm,2012年将达到0.05μm,进入纳米级.