以BJT为例电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电导减小，因此又叫电导调制效应.
应该修改如下：
电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，要注意区分开来！
