卓以和(Alfred Y.Cho)，美国电机工程学家。
卓以和1937年生于北京，1955年赴美，现任美国朗讯科技公司（AT&T公司）贝尔实验室半导体研究室主任、半导体研究所所长、教授。1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）、中国科学院外籍院士（1996）。
卓以和教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者，被称为“分子束外延技术之父”。对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。用研制的新材料，最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。现在又领导AT&T Bell实验室半导体研究所的合作者，开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器，被认为是半导体激光器发展中的又一个里程碑。卓以和教授对我国发展分子束外延技术极为关切，给予了关键性指导；与我国同行建立了深厚友谊，对促进中美两国学术交流，提高我国在国际学术界的地位和影响作出了重要贡献。1996年6月7日当选为中国科学院外籍院士。
2007年7月27日，美国总统乔治·W·布什在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名材料科学家卓以和是30位获奖者之一。卓以和因对分子束外延技术和高级电子光子设备发展所作的贡献而获奖。
