基本情况
吕长志 研究员 中国电子学会高级会员。1974年毕业于北京工业大学无线电系半导体物理与器件专业并留校任教，1991年在北京工业大学在职研究生毕业。因本人在科研方面的突出成绩，于1998年获中华人民共和国国务院特殊津贴奖励。1996—2000年作为访问学者分别在美国伊利诺依大学（UIUC）和弗吉尼亚州立大学（VCU）从事氮化镓（GaN）基器件的研究，获得了当时世界领先的AlGaN/GaN MODFET(调制掺杂场效应晶体管)、GaN P-I-N 紫外光探测器科研成果，并发表了相应的论文。因本人在出国留学期间发表的高水平科研论文、在此期间取得的科研成果及所创造的经济效益，于2005年获第二届北京市留学人员创业奖。
二、主要研究方向：
AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探测器等新型半导体器件的设计及制造；半导体器件、集成电路热阻的测试研究；电子元器件、集成电路可靠性及加速寿命试验的研究。
三、在研课题：
GaN/AlGaN HFET的结构材料生长和器件设计制造基础技术；GaN基紫外探测器研究；军用半导体分立器件加速寿命试验新方法的应用研究。
四、科研成果
1．获北京市、电子工业部科技进步奖7项，其中有“功率晶体管峰值结温非破坏性测量技术”“砷化镓场效应晶体管沟道温度精确测量技术”“税务数据自动化采集和计算机读卡接收系统”等。
2．获国家发明专利4项，实用新型专利1项。
3．与他人合著《超大规模集成电路设计技术－从电路到芯片》、译著《半导体器件电子学》《低成本倒装芯片技术》。
