博士，研究员，博士生导师，分别于1982年和1986年在河北工业大学取得学士和硕士学位，于1997年在中科院半导体所获得博士学位。分别于1992-1996年和1996-1998年任河北工业大学副教授和教授，1998年起任中科院半导体所研究员。目前主要从事化合物半导体材料、磁性半导体材料，以及微重力环境半导体材料的制备及性质研究。
取得的主要学术成绩：研制成功具有室温铁磁性的稀磁半导体GaMnSb和GaMnN薄膜；创建了非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法，及显示砷化镓单晶缺陷的超声腐蚀方法；系统研究了半绝缘砷化镓单晶的化学配比与生长工艺之间的关系，为改善砷化镓单晶的化学配比，提高单晶质量提供了可靠依据；对太空生长的半绝缘砷化镓单晶进行了材料性能研究，及微波器件应用研究；揭示了砷化镓单晶化学配比对单晶均匀性、完整性、生长重复性和应用通用性的重要影响。
完成/在研主要项目
“973”项目：系统芯片中新器件新工艺的基础研究，子项目：新型栅结构材料相关问题研究（2000-2004）。
“973”项目：新一代化合物半导体电子器件与电路研究，子项目：新型低维结构功能器件和三端逻辑功能器件（2002-2006）。
中科院创新项目：微重力环境半导体材料生长（2003-2005）。
自然科学基金项目：稀磁半导体(Ga, Mn)As研究（2002-2004）。
代表性论文：
NuoFu Chen, Ultrasonic etching of GaAs in CrO3-HF aqueous solutions, J. Cryst. Growth, 129 (4), 777 (1993).
NuoFu Chen, Xiulan Zhang, Yiwen Deng, Degradation related defects in AlGaAs/GaAs visible lasers, J. Cryst. Growth, 148 (2), 219 (1995).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors, Phys. Rev. B54 (12), 8516 (1996).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (10A), L1238 (1996).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, O. Oda, Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide, Appl. Phys. Lett. 69 (25), 3890 (1996).
NuoFu Chen, Xingru Zhong, Lanying Lin, Xie Xie, Mian Zhang, 2000, Semi-insulating GaAs grown in outer space, Materials Scienceand Engineering B75, 134-138 (2000).
NuoFu Chen, Point Defects in III-V Compound Semiconductors，Defect and Diffusion Forum, 183-185, 85-94 (2000).
NuoFu Chen, X. R. Zhong, L. Y. Lin, M. Zhang, Y. Wang, X. Bai, J. Zhao, Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates, Appl. Phys. Lett. 78(4), 478 (2001).
Chen Nuofu, Zhang Fuqiang, Yang Junling, Liu Zhikai, Yang Shaoyan, Chai Chunlin, Wang Zhanguo, Hu Wenrui, Lin Lanying, Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb, Chinese Science Bulletin, 48(6), 516-518 (2003).
