研究员，博士生导师。一九五一年五月生。一九七八年毕业于南京工学院，后考入南京大学物理系攻读硕士研究生。经选拔，于一九八三年赴日本名古屋大学学习，一九八六年获硕士学位，一九八九年获博士学位。现任职于中国科学院半导体研究所。在日本期间，主要从事III-V族混晶半导体材料InGaAsP的物理特性研究。一九九一年回国后，在中国科学院半导体研究所工作至今。回国期间，主要从事半导体低维结构的深能级研究以及GaAs/AlGaAs多量子阱的红外吸收物理特性的研究。首次观察到在该结构中有电子的等离子体振荡信号，并提出利用这一振荡制作红外光垂直入射光吸收器件以用于民用摄像仪的探测系统。现在正从事GaN材料及其低维结构的物理特性研究。在研究III族氮化物的体材料中，主要在理论上和实验上研究了点缺陷对载流子散射以及GaN膜的深能级特性以及光学特性。在低维结构中，主要研究了1)线缺陷对两维电子气的散射； 2)用低温钝化法制作的InGaN量子点的结构、光学和电学特性。现在正在进行的工作是：InGaN/GaN和 GaN/AlGaN多量子阱的红外吸收特性的研究。自从从事半导体材料的物理特性的研究以来，共发表论文30余篇，其中10篇发表在国际一流刊物上。E-mail: qszhu@red.semi.ac.cn
完成/在研主要项目
“973”课题项目“信息功能材料相关基础问题”的子课题“低维结构材料物理和GaN物理特性研究（2001-2005）
国家自然基金“高探测率垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器“ （1997-1999）
北京市自然科学基金“新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研制” （1996.8-1999.7）
代表性论著（十篇以内）
B.Z.Qu, Q.S.Zhu, X.H.Sun, S.K.Wan, Z.G.Wang, H.Nagai, Y.Kawaguchi, K.Hiramatsu and N.Sawaki,"Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by MOVPE"
J. Vac. Sci. Technol. A21, Jul/Aug, (2003) 838.
B.Z.Qu, Z.Chen, D.C.Lu P.D.Han, X.L.Liu, X.H.Wang, D.Wang, Q.S.Zhu and Z.G.Wang, "Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method"
J. Cryst. Growth, 252 (2003) 19.
曲宝壮，朱勤生，陈振，陆大成，韩培德，刘祥林，王晓辉，孙学浩，李昱峰，陆沅，黎大兵，王占国，“新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质的研究“
Journal of Functional Materials and Devices, 9 (2003) 13
Z.Chen,H.R.Yuan, D.C.Lu, X.H.Sun, S.K.Wang, X.L.Liu, P.D.Han, X.H.Wang, Q.S.Zhu and Z.G.Wang, "Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase eptaxy"
Solid-State Electronics, 46 (2002) 2069
陈振，韩培德，陆大成，刘祥林，王晓辉， 李昱峰，袁海荣，陆沅，黎大兵，王秀凤，朱勤生，王占国，“钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性“
《发光学报》，24 （2003）135.
Q.S.Zhu and N.Sawaki,"Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by MOVPE"
Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1594
Q.S.Zhu, H.Nagai, K.Kawaguchi, K.Hiramatsu, and N.Sawaki, "Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by MOVPE,"J.Vac.Sci. Technol., A18, Jan/Feb (2000) 261
Q.S.Zhu, H.Matsushima, K.Hiramatsu and N.Sawaki, "Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE"Applied Surface Science, 167 (2000) 149.
Q.S.Zhu, Y.P.He, Z.T.Zhong, X.H.Sun, K.Hiramatsu, "Infrared absorption efficiency in AlAs/AlGaAs type-II multiple-quantum well structure grown on(211) GaAs substrate"
Phys. Stat. Sol. (b) 217 (2000) 833
