本征吸收是指在价带和导带之间电子的跃迁产生与自由原子的线吸收谱相当的晶体吸收谱,它决定着半
导体的光学性质.本征吸收最明显的特点是具有基本的吸收边(吸收系数陡峭增大的波长),也是半导体以及绝缘体光谱与金属光谱的主要不同之处,它标志着低能透明区与高能强吸收区之间的边界。基本吸收边由能量带隙(晶体的导带底和价带顶的能量差-禁带宽度)决定.
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本征吸收是指在价带和导带之间电子的跃迁产生与自由原子的线吸收谱相当的晶体吸收谱,它决定着半
导体的光学性质.本征吸收最明显的特点是具有基本的吸收边(吸收系数陡峭增大的波长),也是半导体以及绝缘体光谱与金属光谱的主要不同之处,它标志着低能透明区与高能强吸收区之间的边界。基本吸收边由能量带隙(晶体的导带底和价带顶的能量差-禁带宽度)决定.