
扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔,来提高存取速率的。通常,在一个DRAM阵列中读取一个单元时,首先充电选择一行然后再充电选择一列,这些充电线路在稳定之前会有一定的延时,制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的(一般是这样),在当前的读写周期中启动下一个读写周期,从而可将RAM速度提高约30%。但是,EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况,是97年最为流行的内存。
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